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碳化硅，晶圆，SiC单晶，N型硅碳化物，2英寸晶圆，2英寸单晶，4H-N SiC锭，150毫米碳化硅单晶，SiC基板晶圆，SiC晶体锭， 碳化硅（SiC）作为一种新型半导体材料，在半导体领域具有广泛的应用前景。SiC晶圆是制造功率器件和光电子器件的主要基础材料之一，其中SiC单晶的制备技术尤为重要。N型硅碳化物是一种常见的SiC单晶类型，其具有优异的电子特性，适用于制造高性能功率器件。2英寸晶圆和2英寸单晶是常见规格的SiC材料，其中4H-N SiC锭作为主要的晶体生长形式之一，具有较高的结晶质量。150毫米碳化硅单晶是较大尺寸的SiC单晶，适用于大功率器件的制备。SiC基板晶圆是制备SiC器件的基础，其质量和表面平整度对器件性能具有重要影响。SiC晶体锭是SiC单晶的原料，其纯度和杂质控制对SiC器件性能至关重要。碳化硅材料在功率电子、光电子等领域的应用不断拓展，其性能优势将进一步推动半导体行业的发展与创新。 
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